NewLPCVD – Abscheideanlage für photonische und MEMS-Anwendungen

© Fraunhofer ENAS
Bestückte Boote für einen Batchprozess zur Beschichtung von Wafern

Das Projekt »NewLPCVD« fokussiert sich auf die Beschaffung einer modernen Beschichtungsanlage für den Auf- und Ausbau von Kompetenzen in den Bereichen Photonik und mikromechanische Bauelemente. Mit der Anlage steht dem Institut eine verlässliche Technologie zur Herstellung innovativer Sensoren sowie optischer und photonischer Bauelemente zur Verfügung, welche etablierte Technologien und Bauelemente verdrängen und neue Zielmärkte erschließen werden.

Durch die Anschaffung der Anlage werden Materialien, wie für Poly-Silicium, amorphes Silicium, und Siliciumnitrid in sehr hoher Schichtqualität auf bis zu 200 mm-Waferdurchmesser nutzbar. Die Schichten eignen sich beispielsweise für Anwendungen im Kommunikationssektor oder in photonischen Schaltkreisen, um Informationsverluste zu minimieren.

Zuwendungshöhe: 1.174.800 €