Diese Technologieplattform ermöglichst die dreidimensionale Strukturierung von Silizium-Wafern unter Nutzung von Nass- und Trockenätzprozessen in verschiedenen Kombinationen. In diese Prozessfolge sind die Strukturierungsschritte für weiterer Schichten eingebettet, wie z.B. SiO2- und Si3N4-Schichten zur elektrischen Isolation, metallische Schichten zur elektrischen Kontaktierung bzw. dielektrische Schichten für optisch aktive Bereiche.
Für elektrostatisch angesteuerte bzw. elektrostatisch detektierende MEMS/MOEMS werden präzise Kavitäten geätzt. Elastische Elemente (Federn) für vorzugsweise vertikale Bewegungen entstehen durch eine Kombination von mindestens zwei Si-Ätzprozessen. Die Kombination eines Nassätzprozesses (Einstellung einer definierten Membrandicke) und eines DRIE-Ätzprozesse (Definition der lateralen Abmessungen) ermöglicht eine hohe Effektivität bei gleichzeitiger Realisierung komplexer und präziser Federgeometrien. Die Montage der vorprozessierten Wafer erfolgt mittels Waferlevel-Bondtechnologien, wobei gegenwärtig bevorzugt das Direkte Bonden bzw. das adhäsive Bonden mittels SU-8 bzw. Parylene eingesetzt wird.
Die Technologieplattform ist auf 6“-Wafergröße etabliert und wird stetig weiterentwickelt. Eine der gegenwärtigen Hauptanwendungen sind optische Filter für den Wellenlängenbereich vom sichtbaren (VIS) über das nahe Infrarot (NIR) bis ins mittlere Infrarot (MIR).