Die plasmabasierende Strukturierung am Fraunhofer ENAS basiert auf der Verfügbarkeit von 11 Maschinen, welche sowohl zur Forschung und Prozessentwicklung, als auch zur Produktion am Institut genutzt werden. So werden die in der Mikroelektronik etablierten Strukturierungsverfahren von Silizium, Siliziumdioxid oder Aluminium angewendet, um insbesondere MEMS/NEMS- aber auch Integrationstechnologien zu bedienen. Zum Portfolio der molekularen reaktiven Plasmen gehören des Weiteren Prozesse, welche zur Strukturierung von beispielsweise Chrom, Titan, Wolfram oder Tantal genutzt werden. Sowohl chlor- als auch fluorbasierende Plasmen werden am Fraunhofer ENAS stets individuell auf die Anforderungen des Kunden und des zu strukturierenden Substrats angepasst. Im Fokus des Instituts liegen zu dem die Strukturierung von für die LED-Technologie unabdingbaren Materialien Galliumarsenid und Galliumnitrid sowie der auf Methan basierende Strukturübertrag in Indiumzinnoxid. Immer häufiger verlangen gerade diese optischen Bauelemente den Übertrag von sphärischen oder andersartig definierten Geometrien. Lösungen für die 2,5-D-Strukturierung wurden am Institut bereits über verschiedene Ansätze realisiert (z.B. in Kombination mit Graustufenlithographie). Für die kontinuierlich an Bedeutung gewinnenden Bereiche der Quantensensorik, der Neuromorphik und der Quantentechnologie werden des Weiteren Ionenstrahlätzprozesse zunehmend wichtiger. Zum Beispiel fordern bestimmte spintronische Anwendungen den Schichtabtrag von Multilagenstapeln, deren chemische Komponenten keine volatilen Ätzprodukte bilden, weshalb am Fraunhofer ENAS Ionenstrahlätzprozesse ebenfalls untersucht und entwickelt werden.