Lithografie für MEMS, NEMS und Nanobauelemente

Am Fraunhofer ENAS stehen in der Lithographie verschiedene Belichtungsprozesse zur Verfügung. Dabei können je nach Methode folgende Strukturgrößen realisiert werden:

• UV-Kontakt- und Proximity-Belichtung (1:1) bis zu 2 µm
• UV-Projektionsbelichtung (Stepper) bis zu 400 nm
• Elektronenstrahlbelichtung bis zu 40 nm für industrierelevante Anwendungen

Nanostrukturen unterhalb von 40 nm sind für Machbarkeitsstudien sowie Forschungs- und Entwicklungsarbeiten ebenso mittels Elektronenstrahlbelichtung realisierbar. Weiterhin kann durch den Einsatz der Nano-Imprint-Lithografie (NIL) für Strukturgrößen im Nanometerbereich auch eine kosteneffektive Herstellung bei einer größeren Waferanzahl realisiert werden.

Ebenso stellen Auch Mix- and Match Belichtungen von Elektronenstrahl- und UV-Projektionsbelichtung eine Möglichkeit für effiziente Belichtungszeiten zur Realisierung von Nanostrukturen dar.

Neben vielfältigen Materialien und Substraten können in der Lithographie am Fraunhofer ENAS 150 mm und 200 mm-Substrate (Si, Glas, …) flexible in den vollautomatischen Tools bearbeitet werden. 100 mm und Sondersubstrate (nicht SEMI-Standard entsprechend, deutlich dickere Substrate bis hin zu „Chips“) sind durch bspw. geeignete Adapterwafer- oder Chucking-Speziallösungen ebenso bearbeitbar.

Für die Belackung stehen am Fraunhofer ENAS neben niederviskosen hochauflösenden Lacken mit Schichtdicken im Nanometerbereich auch hochviskose und damit sehr dicke Lacke bis > 100 µm Lackdicke sowie die Sprühbelackung gerade für die Realisierung von MEMS-Anwendungen zur Verfügung. Im Speziellen kann damit für eine Vielzahl von MEMS-Applikationen eine Lithographie von bspw. Wafern mit Kavitäten oder Perforationen erfolgen.  Ebenso ist eine Doppelseiten-Lithographie möglich (Vorder- und Rückseite).