Die Charakterisierung von RF-MEMS erfordert zusätzlich zu der herkömmlichen Messtechnik spezielle Messaufbauten für die Bereitstellung und Detektion von RF-Signalen. Zur exakten Messung von Bauteilen mit einem hohen Q-Faktor, wie z.B. MEMS-Varaktoren, müssen Störeffekte (Parasitics) ausgeschlossen werden. Das ist realisierbar durch direkte Einspeisung des Signals am Messobjekt mittels koaxialer RF-Sonden mit passendem Pitch (75-1250 µm) sowie Vergleichsmessungen (Kalibrierungen) gegen bekannte Standards. Nicht standardisierte Konfigurationen werden mit Hilfe des sogenannten „imperfectly known on-wafer standards“ kalibriert, welcher typischerweise in Verbindung mit dem Messobjekt selbst hergestellt wird. Der Betrieb von RF-MEMS erfordert eine kontrollierte Anwendung von DC-Bias-Spannungen. Dafür wird eine softwaregesteuerte 4-Kanal-DC-Hochspannungsquelle verwendet. Alle Messungen können auf Wafer-, Chip- oder Schaltkreisebene durchgeführt werden. Eine spezielle HF-Probestation erlaubt die HF-Charakterisierung von 4-Port-Bauelementen bis 50 GHz und von 2-Port-Bauelementen bis 110 GHz. Durch Kombination mit zusätzlicher Messtechnik ist auch eine kombinierte Analyse der RF-Performance und der mechanischen Charakteristiken durchführbar.