Die Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland (FMD) stellt ihre neuesten Technologieinnovationen auf dem MikroSystemTechnik-Kongress 2019 in Berlin vor

Berlin / 28.10.2019

Auf dem MST-Kongress vom 28. bis 30. Oktober im Estrel Berlin präsentieren sich auf dem FMD-Gemeinschaftsstand gemeinsam acht Fraunhofer-Institute des Verbunds Mikroelektronik sowie die Leibniz-Institute FBH und IHP. Inhaltli- che Schwerpunkte der Ausstellung sind Optoelektronische Systeme, Sensorsysteme sowie Microwave & Terahertz.

Der Werkstückträger mit Sensorsystem für Profilwalzmaschinen wurde gemeinsam mit dem Fraunhofer IWU entwickelt.
© Roman Forke, Fraunhofer ENAS

Der Werkstückträger mit Sensorsystem für Profilwalzmaschinen wurde gemeinsam mit dem Fraunhofer IWU entwickelt.

Auf Basis des piezoelektrischen Material Alumniumnitrid werden Sensoren und Aktoren wie der gezeigte Mikrospiegel aufgebaut.
© Chris Stöckel, Fraunhofer ENAS

Auf Basis des piezoelektrischen Material Alumniumnitrid werden Sensoren und Aktoren wie der gezeigte Mikrospiegel aufgebaut.

Als der größte standortübergreifende FuE-Zusammenschluss für die Mikro- / Nanoelektronik in Europa ermöglicht die FMD ihren Kunden erstmalig FuE-Dienstleistungen, Anwendungslösungen und neue Technologien in einem hohen technischen Reifegrad aus einer Hand. Eine deutschlandweit koordinierte technologische Expertise mit Lösungsansätzen in allen Bereichen der gesamten mikroelektronischen Innovationskette ist ein weiterer Vorteil für die FMD-Kunden. Zudem besitzt die Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland den größten Anlagenpool für technologieübergreifende Forschung und Entwicklung (von Silizium- und Verbindungshalbleiterbauelementen bis zur Systemintegration) – von der Material- und Prozessentwicklung bis zur kundenspezifischen Pilotherstellung.

Exemplarische Entwicklungen des Fraunhofer ENAS innerhalb der FMD
Neben zahlreichen Vorträgen und Posterbeiträgen zeigt das Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme ENAS aus Chemnitz als Teil der FMD am Gemeinschaftssstand seine Entwicklungen in den Themenbereichen Microwave & Terahertz, Sensorsysteme sowie Optoelektronische Systeme.

CNT-basierte Elektronik: Im Bereich Microwave & Terahertz stellt das Institut Elektronikkomponenten basierend auf Kohlenstoffnanoröhrchen (sogenannte CNTs) vor. Dazu gehören Hochfrequenz CNT-FET mit erhöhter Linearität für Wireless-Anwendungen sowie heterogene Integrationstechnologien für CNT-FETs in ASIC, MEMS und MOEMS.

Monitoringsysteme basierend auf Inertialsensorik: Fraunhofer ENAS präsentiert in einem Gemeinschaftsprojekt mit dem Fraunhofer IWU einen Werkstückträger mit inte- griertem Monitoring-System. Das System erfasst mit Hilfe von Drehraten- und Beschleu- nigungssensoren die Drehzahl des Werkstückes und dessen Position. Diese Daten hel- fen bei der Überwachung und Optimierung von Umform- oder Zerspannungsprozessen. Daneben zeigen die Forscherinnen und Forscher ein Winkelmesssystem, dass auf Drehratensensoren basiert.

Piezoelektrisches Aluminiumnitrid für MEMS: Im Bereich optoelektronische Sys- teme nutzt das Fraunhofer ENAS piezoelektrisches Aluminiumnitrid als monolitisch integrierte Dünnfilmschicht für Sensoren und Aktuatoren. Als Beispiele zeigt das Institut ein- und zweiachsige piezoelektrische MOEMS mit einer hohen Spiegelauslenkung.


International konkurrenzfähiges, dezentrales Forschungsangebot
In der FMD kooperieren elf Institute des Fraunhofer-Verbunds Mikroelektronik sowie das Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) und das Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik (IHP), um ihren Kunden einen umfassenden und einfacheren Zugang zu Spitzentechnologien zu ermöglichen.
Die vor zweieinhalb Jahren ins Leben gerufene FMD hat das Ziel, die Entwicklung, vor allem aber auch die Herstellung und Vermarktung mikroelektronischer Produkte in Deutschland zu fördern, um eine Abwanderung der Kompetenzen in andere Regionen zu verhindern.
Die Idee, Forschung und Entwicklung über mehrere Standorte hinweg erfolgreich zu betreiben, unterstützt das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) mit rund 350 Millionen Euro bis Ende 2020. Mit dieser Förderung möchte das BMBF die Innovati- onsfähigkeit der Halbleiter- und Elektronikindustrie in Deutschland und Europa im glo- balen Wettbewerb stärken und unterstützt das Vorhaben mit der größten Investition in Forschungsgeräte seit der Wiedervereinigung Deutschlands.