Bonding and Deep RIE

Business Unit »Process, Device and Packaging Technology«

Diese Technologieplattform auf der Basis von Waferverbunden mit vorstrukturierter Kavität ermöglicht insbesondere die Herstellung von elektrostatischen Aktuatoren und kapazitiven Sensoren mit hohen Aspektverhältnissen (AR bis zu 40) für die präzise Detektion von sehr kleinen Bewegungen in bis zu 3 Dimensionen. Dabei bestehen viele Freiheitsgrade im Design. Die patentierte Technologievariante BDRIE-HS* (high Sensitivity) ermöglicht die ätztechnische Strukturierung von Trenches bis in den sub-µm-Bereich in Kombination mit Gebieten mit  großen Strukturhöhen zur Erzielung großer Massen, z.B.  für rauscharme Inertialsensorik.

Die Technologieplattform kann sowohl in einer Glas-Silizium-Variante als auch in einer Voll-Siliziumvariante genutzt werden. In Kombination mit verschiedenen Integrationskonzepten und Verkapselungstechnologien auf Waferlevel sind eine innere und eine äußere Umverdrahtung sowie vertikale Durchkontaktierungen möglich, um eine kompakte Bauweise zu erreichen. Durch eine hermetische Verkapselung mittel Waferbonden kann dabei der Sensorinnendruck in einem weiten Bereich den Erfordernissen der Anwendungen angepasst werden. Der optionale Einsatz von Gettermaterial ermöglicht Restgasdrücke bis in den µbar-Bereich zur Erzielung hoher mechanischer Schwingungsgüten.

Die Technologieplattform ist gegenwärtig mit verifizierten Designregeln auf 6“-Wafergröße etabliert und wird stetig weiterentwickelt. Anwendungsbeispiele sind z.B. MEMS-Inertialsensoren zur Messung von Beschleunigungen, Vibrationen und Winkelgeschwindigkeiten (Drehraten) sowie Federkraftnormale und Messpitzen.