Mehr Nachhaltigkeit in der Halbleiterfertigung: Fraunhofer ENAS ist Partner im neuen europäischen Projekt »HaloFreeEtch« zur Erforschung innovativer halogenfreier Ätzprozesse
Das Fraunhofer ENAS ist Teil des neuen und im September 2024 gestarteten Projektes »HaloFreeEtch« (»Neue Ansätze zum halogenfreien und nachhaltigen Ätzen von Silizium und Glas«). Das von der Technischen Universität Chemnitz koordinierte Projekt hat eine Laufzeit von 48 Monaten und wird von der Europäischen Union mit insgesamt 3.997.735 € gefördert. Gemeinsam mit sechs internationalen Partnern wird das Fraunhofer ENAS darin die Produktion zukünftiger Halbleiter durch innovative und intelligente Ätzverfahren auf die nächste Stufe heben.
Das Projekt »HaloFreeEtch« zielt darauf ab, die Halbleiterfertigungsindustrie durch die Entwicklung neuer, nachhaltiger, halogenfreier Ätzverfahren für Silizium und Siliziumoxid zu revolutionieren. Herkömmliche industrielle Plasmaätzverfahren basieren auf Halogenen, die erhebliche Umwelt- und Gesundheitsrisiken bergen. Indem diese durch nachhaltigere Alternativen ersetzt werden, soll der CO2-Fußabdruck verringert und damit die Nachhaltigkeit der Halbleiterherstellung verbessert werden.
Da die Halbleiterindustrie im Zentrum technologischer Innovationen steht, ist die Entwicklung nachhaltiger Herstellungsverfahren von entscheidender Bedeutung für die Umwelt sowie die Zukunft der Branche. Das Projekt »HaloFreeEtch« soll Europa an die Spitze dieses grünen Wandels bringen und so zu den weltweiten Bemühungen beitragen, Umweltbelastungen zu reduzieren und nachhaltige Praktiken zu fördern.
Das Fraunhofer ENAS nimmt im Rahmen von »HaloFreeEtch« eine Schlüsselrolle ein und wird das Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien (ZfM) der Technischen Universität Chemnitz als Projektleiter mit seiner ausgewiesenen Expertise in der Entwicklung und Optimierung von Ätzprozessen unterstützen, die eine präzise Strukturierung unterschiedlichster Materialien erlauben. Das Institut wird sich dabei insbesondere auf die Entwicklung neuartiger Verfahren konzentrieren, die nicht nur umweltfreundlich sind, sondern auch den Leistungsanforderungen der modernen Halbleiterfertigung entsprechen. Durch den Einsatz von Wasserstoff und innovativen Katalysatoren sollen herkömmliche halogenbasierte Verfahren, die erhebliche Umwelt- und Gesundheitsrisiken bergen, ersetzt werden. Damit leistet das Fraunhofer ENAS einen wertvollen Beitrag, um den ökologischen Fußabdruck der Branche deutlich zu verringern.
»Unsere Forschung wird dazu beitragen, die Halbleitertechnologie in Europa neu zu definieren und die Industrie in eine nachhaltigere Zukunft zu führen«, sagt Dr. Karla Hiller, Projektleiterin am Fraunhofer ENAS. »Wir sind stolz darauf, Teil dieses bahnbrechenden Projektes zu sein und freuen uns darauf, die Entwicklung von halogenfreien Ätzprozessen voranzutreiben.«
Über das Projekt »HaloFreeEtch«
Das Projekt, das führende europäische Forschungs- und Industriepartner zusammenbringt, hat eine Laufzeit von 48 Monaten. Die Ergebnisse sollen nicht nur die Halbleiterherstellung revolutionieren, sondern auch neue Anwendungen in Bereichen wie Mikrosensorik und Photonik ermöglichen.
Projektdetails
Nummer der Finanzhilfevereinbarung: | 101161153 |
Projekttitel: | »Neue Ansätze für halogenfreies und nachhaltiges Ätzen von Silizium und Glas |
Thema: | HORIZON-EIC-2023-PATHFINDERCHALLENGES-01-04 |
Start des Projektes: | 1. September 2024 |
Dauer: | 48 Monate |
Projektkoordinator: | Technische Universität Chemnitz |
EU-Beitrag: | 3.997.735 Euro |
Partner
- Technische Universität Chemnitz
- PlasmaSolve SRO
- Vrije Universiteit Brussel
- Fraunhofer ENAS
- Universität Graz
- Warrant Hub – Tinexta Group
- LioniX International BV
Weitere Informationen über das Projekt finden Sie auf der offiziellen Website: https://halofreeetch.eu/
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