Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme
MEMS-Komponenten für HF-, Mikrowellen-und mm-Wellen-Anwendungen sind besonders dann interessant, wenn für die HF-Schaltung Parameter benötigt werden, die mit Halbleiter-HF-Komponenten, besonders in Bezug auf extrem hohe Signalfrequenzen (> 20 GHz), sehr gute Nichtlinearität (IIP3 > 50 dBm) und hohe Signalleistung (> 20 dBm) nicht erreicht werden. HF-MEMS-Schalter, abstimmbare Kapazitäten, rekonfigurierbare Phasenschieber und Mikro-Spulen stehen hierbei im Fokus der Arbeiten.
HF-MEMS-Komponenten werden am Fraunhofer ENAS zusammen mit Kooperationspartnern in 3D-Bulk-Mikromechanik-Technologie und in SOI- und Cavity-SOI-Technologie als Einzelkomponenten zur direkten Integration in Schaltungen hergestellt. Die elektrostatische Aktuatorik beweglicher Teile führt zur gewünschten Variation der HF-Kennlinie (Schaltzustand, Kapazität, Phasenverschiebung).