Das Fraunhofer ENAS bietet eine breite Palette an Prozessen für die Strukturierung von verschiedenen Oberflächen an. Unser Fuhrpark an Ätzanlagen gestattet uns flexibel auf Substrat- und Technologieanforderungen einzugehen und erlaubt die Prozessentwicklung für die verschiedensten Anwendungen, Materialen und Materialsysteme. So bedienen wir mit unseren reaktiven Ionenätzprozessen konventionelle MEMS/NEMS-Technologie oder Integrationstechnologie aber auch Quantensensorik, Neuromorphik oder Grundlagenuntersuchungen der Quantentechnologie. Durch die Nutzung von Forschungsreaktoren bei gleichzeitigem Betrieb von Hochdurchsatz-Produktionstools sind wir in der Lage, sowohl Studien mit fundamentalem Charakter, als auch die reine Prozessleistung zur Technologieentwicklung und -erprobung anzubieten. So können wir des Weiteren die Strukturierung von 100 mm, 150 mm und 200 mm in unseren Reinräumen durchführen, was insbesondere für heterogene Integration, wie beispielsweise hybrides Boden von enormem Vorteil ist. Hinsichtlich der Materialien gibt es in unseren Reinräumen nahezu keine Einschränkungen. Wir sind in der Lage sowohl flour- als auch chlorbasierende Strukturierungsplasmen durchzuführen und greifen auf eine jahrelange Erfahrung im Bereich der Plasmaätzung verschiedenster Materialien zurück. Unser Know-how umfasst die Strukturierung von üblichen Dielektrika wie Siliziumoxid (SiO2), Siliziumnitrid (Si3N4), poröse Dielektrika, Aluminiumoxid oder Hafniumoxid. Selbstverständlich gehört die Metallstrukturierung von typischen Barrierematerialien wie Tantalnitrid (TaN) oder Titannidrid (TiN) sowie das Ätzen von Aluminium, Wolfram oder Molybdän ebenfalls zu unserem Prozessportfolio. Insbesondere für LED-Herstellung sind Ätzprozesse von GaAS, GaN oder Indiumzinnoxid von enormer Bedeutung, sodass auch diese Materialien auf unseren Anlagen strukturiert werden können.