2009-11-03T00:00:00.000+01:00

Analyseservice

Test auf Waferebene

Wafer-level Test mit halbautomatischer Probestation

Die Bestimmung der exakten Geometrie und die Messung von mechanischen Spannungen gehören zu den größten Herausforderungen des MEMS-Tests (MEMS - Micro electro mechanical systems). Das Monitoring dieser Parameter während des Herstellungsprozesses bietet zum einen die Möglichkeit auf das Abweichen der Parameter schneller zu reagieren und zum anderen Chips, die nicht den Spezifikationen entsprechen, noch vor dem kostenintensiven Packaging-Prozess zu selektieren. Da auf das Packaging ein Großteil der Kosten entfällt, können durch Aussonderung dieser fehlerhaften Teile die Kosten des gesamten Bauelements entscheidend gesenkt werden. Eine der Voraussetzungen dafür sind sehr schnelle und zuverlässige Testmethoden für einen hundertprozentigen Test der Chips auf Waferebene.

MEMS-Tests auf Waferebene bilden den Themenschwerpunkt der Gruppe Messtechnik. Das Spektrum reicht von einfachen Oberflächen-, Kapazitäts-, Isolations- oder Widerstandstests bis zur RF-MEMS Charakterisierung, der Messung von resonanten Schwingungsfrequenzen, der Bestimmung von Resonanzmodi und deren Visualisierung, sowie die Identifikation von Abmessungen durch Kopplung der gemessenen Daten mit Daten der Finite-Element Analyse. Die Gruppe bietet die Entwicklung von Testtechnologien und die Durchführung von Messungen an. Für Messungen steht zum einen eine multifunktionale Probestation für die elektrische und mechanische Charakterisierung (strukturelle Verformung, dynamischer Response) mittels Laservibrometrie bzw. Weißlichtinterferometrie (Bild 1) und zum anderen ein halbautomatisches System für den automatisierten Test einer großen Anzahl von Chips bzw. Wafer zur Verfügung.

Equipment

  • Manuelle und halbautomatische Wafer Prober (6“ und 8“)
  • Micro System Analysator für out of plane (bis 1,5 MHz) und in plane (bis 1 MHz) Schwingungsanalysen (Spektren und Schwingmoden)
  • Weißlichtinterferometer für statische und dynamische (bis 150 kHz) Oberflächencharakterisierung
  • Vector Netzwerk Analysator (9 kHz bis 110GHz), mit RF-Probes (GS/SG, GSG 75 µm-1250 µm pitch) und Kalibrierungsstandards
  • Elektrodynamischer Schwingungserreger (bis 20 kHz)
  • Piezoelektrische Referenzsensoren (bis 50 kHz, 100000 g)
  • Präzisionsteilapparat zur Kalibrierung von Neigungssensoren