Fraunhofer-Institut für Elektronische NanosystemeDiese Packaging-Methode erfordet keine zusätzlichen Zwischenlagen. Dabei sind spezielle hohe Oberflächenqualität wesentlich:
- Ra <0,5 nm (10 x 10 mm²)
- Ebenheit <30 µm
- Lokale Dickenvariation <1 µm
Durch den Einsatz dieses Niedertemperatur-Bondverfahrens bei Temperaturen unter 200 °C können heterogene Materialien wie Silicon-Foturan oder Silicon-Lithiumtantalat mit hoher Bondkraft verbunden werden.