HF-MEMS

Ziel:

• Zuverlässige HF-Schalter mit großen Antriebselektrodenfläche für hohe Antriebskraft

Technologie:

• Fertigungstechnologie:
  - Silizium-Mikromechanik-Technologie
  - AIM-Technologie (Air gap Insulated Micromachining)
  - Edelmetall in Kontaktfläche
• Packaging:
  - Kostengünstiges Packaging (zero level) durch Seal-Glas-Bonden
  - laterale Durchkontaktierung der Signalleitbahnen
  - Maximale HF-Leistung auch in mm-Wellen-Frequenzbereich

Vorteile:

• Geringe Antriebsspannung (<5 Volt)
• Niedrige Einfügedämpfung
• Geringe Verluste, hohe Isolation
• Hervorragende Nicht-Linearität (IP3> 70 dBm)
• Kein Aufladung
• Geringe Übersprechdämpgung zwischen Antriebs- und HF-Signal durch separierte Bereiche
  

siehe auch  FPI