Modellierung und Simulation technologischer Prozesse, Anlagen und Bauelemente

Simulation von Prozessen und Anlagen

Die Simulation technologischer Prozesse der Halbleiterindustrie (PVD, CVD, ALP, ECD) ist ein leistungsfähiges Werkzeug, um neue Prozesse und Anlagen zu entwickeln sowie Etablierte weiter zu optimieren. Durch die Kombination eigener Softwarewerkzeuge mit etablierten fluiddynamischen Simulationsmethoden und Quantenchemie können am ENAS Prozesse vom Waferlevel über die Abscheidung in kleinen Strukturen bis hin zur Oberflächenchemie modelliert und simuliert werden.

Simulation der Gasphasenabscheidung

Simulation von Oberflächenreaktionen

Atomistische Prozessimulation

Anwendungsbeispiel: Sputterprozesse

Anwendungsbeispiel: Atomlagenprozessierung

Ausgewählte Beispiele und Anwendungsszenarien

 

Multiskalensimulation der Atomlagenabscheidung

 

Prozess- und Equipmentsimulation der Chemischen Gasphasenabscheidung

 

Simulation der gepulsten elektrochemischen Abscheidung von Kupfer in Through Silicon Vias mit hohem Aspektverhältnis

 

Simulation der Abscheidung von Barriere-Saatschicht-Stapeln für die Metallisierung von 28 nm CMOS Devices

 

Simulation der Abscheidung von Kohlenstoffnanoröhren mittels Dielektrophorese

 

Reaktorskalensimulation von ALD-Prozessen

 

Parsivald - ein neues Tool for die Simulation von Schichtwachstum

 

Experimentelle und theoretische Untersuchungen an einem plasmaassistierten in situ Reparaturprozess für ULK-Dielektrika