Fraunhofer-Institut für Elektronische NanosystemeUnsere Rasterelektronenmikroskope ermöglichen die präzise Analyse verschiedenster Materialien und Proben. Dazu gehören unter anderem:
Rasterelektronenmikroskopie - manuelle Analyse
FIB Aufnahmen von verschiedenartigen Proben (Wafer, Schliff, Coupon)
FIB Aufnahme für die Entwicklung eines VIA-Metallisierungsmoduls
Schichtdicken- und Defektcharakterisierung, insbesondere FIB: Analyse von Mikrodefekten durch Herstellung von lokalen Präzisionsschnitten mittels Focused Ion Beam (FIB). Die selektive Entfernung oder Abtragung von Material ermöglicht die Erstellung von Querschnitten von Proben für REM-Aufnahmen. FIB-Cross Sectioning zur Darstellung tiefliegender Strukturen, Aufzeigen von Delaminationen, Bestimmung von Schichtdicken.
Oberflächenaufnahmen (TV-REM) eines MEMS-Ausschnittes (li.) und von Cu-Pillars (re.)
Oberflächenaufnahmen (TV-REM) von Lot- u Sinterschichten in verschiedenen Vergrößerungen (li. und re.)
Oberflächencharakterisierung: Hochauflösende REM-Aufnahmen von Oberflächenstrukturen und -topographie verschiedenartiger Proben wie beispielsweise von 4"- bis 8"-Wafer, Bruchstücke, Halbleiterbauelemente, eingebettete Proben (REM-Schliffe) u.v.m.
Beispiel einer EDX-Analyse für Rückstände auf einer Probenoberfläche,
REM-Aufnahme (li.) und EDX-Spektrum (re.)
Elementcharakterisierung: Energiedispersive Röntgenspektroskopie-Analyse (EDX, EDS) von chemischer Materialzusammensetzung zur Bestimmung der Elementverteilung auf der Oberfläche einer Probe (EDX-Spektrum) sowie die Erstellung von Elementverteilungskarten (Mapping). Es ermöglicht die chemische Analyse von Materialien durch Messung der charakteristischen Röntgenstrahlung, die von den Elementen im Probenbereich des REMs erzeugt wird.
EBSD-Aufnahme (li.) mit dazugehörigen Forescatter Image (re.)
Kristallographische Materialcharakterisierung: Phasen-, Textur- und Korngrößenanalyse mittels Electron-Backscattered Diffraction (EBSD). Diese Methode liefert Informationen über die Kornorientierung, Gitterdeformationen und Phasenidentifikation.