Rasterelektronenmikroskopie

ENAS-HP REM-Uebersichtsbild.
© Fraunhofer ENAS
Übersicht Rasterelektronenmikroskopie

Die Rasterelektronenmikroskopie (REM, engl. SEM - Scanning Electron Microscopy) ist eine Methode zur detaillierten Charakterisierung von Halbleiterstrukturen und -komponenten. Die Messmethode erlaubt eine präzise Identifizierung von Defekten, Verunreinigungen und Strukturfehlern auf Mikrometer- und Nanometerskala. Zudem erlaubt sie eine hochauflösende Visualisierung von Mikro- und Nanostrukturen mit hoher Tiefenschärfe.

Um den vielfältigen Anforderungen an Messungen sowohl intern als auch extern gerecht zu werden, verfügen wir über eine breite Palette von REM-Geräten. Diese reichen von manuellen bis hin zu vollautomatischen Systemen. Für beispielsweise statistische REM-Untersuchungen steht unsere vollautomatische Lösung (CD-SEM) zur Verfügung, die schnelle und zuverlässige Ergebnisse liefert.

 

CD-SEM - Critical Dimension Scanning Electron Microscopy

 

Rasterelektronenmikroskopie - manuelle Analyse

Scanning Electron Microscope, Focused Ion Beam, Energy Dispersive X-Ray, Electron BackScatter Diffraction