Direktbonden

Beim Siliziumdirektbonden (SDB) werden als Bondpartner polierte Siliziumwafer beliebiger Orientierung und Grunddotierung mit natürlichem, dünnem chemischen oder thermischen Oxid verwendet, die verschiedene Oberflächenbeschichtungen besitzen können und die eine große Anzahl chemisch an die äußeren Siliziumatome gebundene OH-Gruppen besitzen müssen. Beim SDB werden besondere Anforderungen an die zu verbindenden Materialien hinsichtlich Oberflächenrauhigkeit, Partikelfreiheit, chemische Reinheit und Ebenheit gestellt.

 

Materialien:

• Silizium
• Polysilizium
• Siliziumoxide
• Siliziumnitride

Prozessführung:

• Optional Planarisieren/Polieren der Substrate (CMP)
• Reinigung, Hydrophilisierung (z.B. RCA), Aktivierung der Substrate
• Justage/Alignment
• Prebonden
• Nieder-/Hochtemperaturbehandlung (200...400 °C / 800...1100 °C)

Ausrüstung:

• Mirra CMP Applied Materials und IPEC 472
• Cleaner SÜSS CL 200
• Bondaligner SÜSS BA6
• Substratbonder ABM 6 VAC
• Substratbonder SÜSS SB6 & SB8
• Temperöfen Centrotherm
• Licht- und IR-Mikroskope

Applikationsbeispiele:

• Mehrebenenwaferbonden (3D)
• Beschleunigungs- und Neigungssensoren
• Drehrate- und Vibrationssensoren
• Druck- und Vakuumsensoren
• Mikroventile und fluidische Systeme
• Scanner