Spektroskopische Ellipsometrie mit variablem Einfallswinkel

© J.A.Woollam
Schematische Abbildung der Reflexion von linear polarisiertem Licht bei Auftreffen auf eine Probe sowie Darstellung der ellipsometrischen Winkel.

Die spektroskopische Ellipsometrie mit variablem Winkel (VASE) ist aus den Bereichen der Forschung und Entwicklung nicht mehr wegzudenken. Als essentielles Charakterisierungsverfahren ist es eine wichtige und leistungsstarke Messtechnik für die Erforschung neuer Materialien und Prozesse sowie die Prozesskontrolle dünner und ultradünner metallischer sowie nicht-metallischer Schichten und Schichtsysteme.

Linear polarisiertes Licht trifft auf eine Probe, wobei Wechselwirkungen zwischen diesem Licht mit der Materie auftreten und eine elliptische Polarisierung des Lichtes hervorrufen, welche gemessen wird. Da die Ellipsometrie das Verhältnis zweier Werte misst, ist sie äußerst genau und reproduzierbar, und es ist kein Referenzmaterial erforderlich. Der Einsatz der spektroskopischen Ellipsometrie (SE) führt zu einer erhöhten Empfindlichkeit gegenüber mehreren Filmparametern und beseitigt außerdem das Periodenproblem, das mit Interferenzschwingungen in dicken Filmen verbunden ist. Das Hinzufügen mehrerer Winkel zur spektroskopischen Fähigkeit (VASE) liefert aufgrund der unterschiedlichen optischen Weglängen, die zurückgelegt werden, neue Informationen und optimiert die Empfindlichkeit gegenüber unbekannten Parametern.

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Ellipsometer Woollam RC2.

Folgende Features zeichnen das Ellipsometer Woolam RC2 aus:

  • Automatisches Messsytem für 4’’, 6’’, 8’’ Wafer und Waferstücke
  • Großer Spektralbereich von UV/VIS bis NIR: 210 nm - 1600 nm
  • Schnelle Messgeschwindigkeit
  • Wafer-Mapping mit vollautomatischer Probentranslation
  • Flexible Konfigurationen: 
    • Automatisierter Einfallswinkel (45° bis 90° mit ±0,03° Genauigkeit)
    • Hochfokussierter Spot (Spotgröße bis zu 120 µm)
  • Messung von Schichten auf transparenten Substraten sowie reflektierenden  Substraten oder darunterliegenden metallischen Schichten
  • Bestimmung aller 16 Elemente der 4x4 Müller-Matrix
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Wafer-Map in Form einer Spirale eines 200 mm Glassubstrates mit einer Tantaloxid-Schicht
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Gemessene Psi- und Delta-Kurven bei den Einfallswinkel 65° und 70° der Tantalpentoxid-Schicht auf Glassubstrat am Messpunkt x = -94,04 und y = -11,57