Aufbau- und Verbindungstechnik (AVT) und (Heterogene) Integration (2D, 2.5D, 3D)

Cu-TSV für MEMS basierend auf einer Via Last Methode#

Demonstratorlayout mit angepasstem Glas-Frit-Muster und dazugehörigem Querschnitt.
© Fraunhofer ENAS
Demonstratorlayout mit angepasstem Glas-Frit-Muster und dazugehörigem Querschnitt.

In zukünftigen mobilen Geräten, wie z.B. tragbarer Elektronik oder Smartcards, werden perspektivisch immer mehr Funktionalitäten bei reduziertem Platzbedarf integriert. Dies verlangt nach speziellen Technologien für die Herstellung und Verkapselung der Einzelkomponenten (z.B. MEMS) und umfasst Technologien der 3D-Integration wie bspw. die Implementierung von TSVs. Im Rahmen dieser Arbeit erfolgte die Erarbeitung einer Via-Last-Technologie für MEMS basierend auf Cu-TSVs. Die Machbarkeit konnte anhand eines zweiachsigen Beschleunigungssensors demonstriert werden.

Prinzip des TSV-Technologieablaufs.
© Fraunhofer ENAS
Prinzip des TSV-Technologieablaufs.
MEMS mit Cu-TSVs vor (a) und nach (b) dem Waferdünnen.
© Fraunhofer ENAS
MEMS mit Cu-TSVs vor (a) und nach (b) dem Waferdünnen.
Reaktionskurve des MEMS-Beschleunigungsmessers vor und nach dem Dünnen bei elektrostatischer Anregung.
© Fraunhofer ENAS
Reaktionskurve des MEMS-Beschleunigungsmessers vor und nach dem Dünnen bei elektrostatischer Anregung.