Nanoimprint Lithographie

Zweistufige Lackstrukturen

Nanoimprint Lithographie

Nanoskalige Siliziumstege mit sehr hohem Aspektverhältnis

Nanoimprint Lithographie

Optische Strukturen

Nanoimprint Lithographie

In vielen neuen Anwendungen, insbesondere im Bereich der Optik/Photonik und der Biologie/Biotechnologie, aber auch in der Mikrosystemtechnik werden für neue Funktionalitäten nanoskalige Strukturen benötigt. Diese können mit sequentiellen Belichtungsverfahren, wie der Elektronenstrahlbelichtung (E-Beam), hergestellt werden.

Dies ist in einer Fertigung jedoch mit immensen Kosten verbunden. Um diese Kosten auf ein einsatzfähiges Maß zu beschränken, wird in den letzten Jahren verstärkt an parallel arbeitenden Technologien (batch processing) wie der Nanoimprint Lithographie (NIL) geforscht. Diese wird genutzt, um Strukturen vom Mikrometer- bis in den zweistelligen Nanometerbereich von einem Master-Template in ein Substrat mit der Hilfe eines speziell für diese Zwecke entwickelten Lackes zu übertragen. Der kostenintensive elektronenstrahlbelichtete Master kann dabei unter Verwendung von Polymeren zu Arbeitsstempeln vervielfältigt werden. Somit stellt die Nanoimprint-Lithografie ein interessantes Werkzeug zur Erzeugung von großflächigen Nanostrukturen auf Waferebene für die Mikrosystemtechnik und Mikroelektronik dar, mit welcher die Kosten pro nanostrukturiertem Wafer drastisch reduziert werden können.

Am Fraunhofer-Institut für elektronische Nanosysteme ENAS besteht ein Prozessablauf für die justierte UV-Nanoimprint Lithographie (NIL) zur Erzeugung von Nanostrukturen. Eine Strukturübertragung mittels Trockenätztechniken kann angeschlossen werden, um unterliegende Schichten zu strukturieren.

Vorteile des Verfahren

  • Parallele Arbeitsweise
  • Nanostrukturierung von bis zu 6“ Rundsubstraten
  • Laterale Abmessungen: <50 nm
  • Höherer Durchsatz  und geringer Kosten als bei der E-Beam Lithografie