REM und FIB Analyse

Eine Zweistrahlanlage – Rasterelektronenmikroskop (REM) und Focused Ion Beam (FIB) – ermöglicht eine Struktur- und Fehleranalyse in kleinsten Materialbereichen. Während das REM vorwiegend für die Oberflächenanalytik eingesetzt wird, können mit der FIB durch den möglichen Materialabtrag Querschnitte in das Material realisiert werden.

Folgende Analysemöglichkeiten sind am MMC vorhanden:

• Bewertung von Ober- und Bruchflächen sowie von Querschliffen zur Analyse von kleinsten Defekten, Partikel und Rissen
• Ortsaufgelöste energiedispersive Elementanalysen (EDX)
• Phasen-, Textur- und Korngrößenuntersuchungen mittels ELectron-Backscattered Diffraction (EBSD)
• Geometrievermessungen kleiner lateraler Abmessungen
• FIB-Cross Sectioning zur Darstellung tiefliegender Strukturen, Aufzeigen von Delaminationen, Ermittlung von Schichtdicken
• Bestimmung von Eigenspannungen (fibDAC)

Weiterhin ist es möglich in-situ-Belastungsversuche im REM durchzuführen. Bei diesen Untersuchungen stehen die Bestimmung von Materialparametern und bruchmechanische Analysen in kleinsten Materialbereichen im Mittelpunkt.