MEMS Active Probe

Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme

MEMS Active Probe zur Wafer und Chip-Level Charakterisierung von MEMS

Die Herstellung von MEMS im Batch Prozess stellt die Charakterisierung derselben vor eine große Herausforderung. Das trifft vor allem dann zu, wenn eine 100-Prozent-Prüfung notwendig ist. Für den Funktionstest vieler mikromechanischer Strukturen ist die Erfassung der mechanischen Bewegung erforderlich. Eine Kapazitätsänderung-zu-Spannungswandlung (C/V Conversion) ist eine preiswerte und praxisnahe Lösung. Wünschenswert ist eine MEMS-nahe Anordnung, um das Signal-Rausch-Verhältnis optimal zu gestalten. Die vorgestellte „MEMS Active Probe“ wurde für genau dieses Anwendungsszenario entwickelt und aufgebaut. Sie ermöglicht es, die in-plane-Bewegung der mikromechanischen Elemente elektrisch zu erfassen und zu charakterisieren. Die „MEMS Active Probe“ ist für einen Frequenzbereich bis 200 kHz ausgelegt (3 dB). Die Empfindlichkeit beträgt 90 mV/nA. Der Ausgang ist mit 50 Ohm angepasst, wodurch sich die „MEMS Active Probe“ direkt mit einem Spektrumanalyser verbinden lässt. Die Halterung lässt sich mit üblichen Positionern verwenden. Die MEMS Active Probe wird zur dynamischen Messung kleiner Ströme (pA bis nA) verwendet.

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