Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme
Am Fraunhofer ENAS werden optische Mikro- und Nanostrukturen für verschiedenste Applikationen auf Waferlevel realisiert und MEMS-Prozessabfolgen integriert um Gratings, durchstimmbare Filter, Antennen, Einkoppelstrukturen, Wellenleiter und Subwellenlängen-Strukturen zu ermöglichen.
Als Kernkompetenz vom Fraunhofer ENAS können diese Strukturen simulativ ausgelegt, hergestellt und auch charakterisiert werden.
Die Herstellung und Integration wird auf 150 mm oder 200 mm Wafergröße realisiert.
Als Beispiele sind Gratings mit einstellbarem Line/Space Abstand (Mikrometer bis Nanometer), die Herstelltung von NIL-Mastern mittels E-Beam für die Replikation von nanoskaligen Strukturen mit Nanoimprintlithografie, Reflektor- und Antireflexionsstrukturen für Filteranwendungen, Antennen und Photonic Integrated Circuits (PICs) mit den notwendigen Wellenleiter- und Einkoppel-/Auskoppelstrukturen detaillierter dargestellt.
Nach erfolgter Herstellung/Integration können durch die zur Verfügung stehende unterschiedlichste Messtechnik Charakterisierungen auf Waferlevel und/oder Chiplevel durchgeführt werden.