UV-Projektions-Lithografie (Stepper-Lithografie)

Für die UV-Projektionsbelichtung am Fraunhofer ENAS steht ein i-line Projektions-Lithografiesystem NSR2205i11D (Waferstepper) aus dem Hause NIKON zur Verfügung, welches Auflösungen von bis zu 350 nm mit einem maximalen Bildfeld von 22 mm x 22 mm erreicht und gleichzeitig einen hohen Durchsatz ermöglicht. Im Vergleich zur UV-Kontakt- und Proximitybelichtung wird so eine höhere Auflösung bei weiterhin hohem Durchsatz ermöglicht. Somit kann eine kosteneffektive Realisierung komplexer Designs von Mikrostrukturen und Nanostrukturen auf verschiedenen Substraten für verschiedenste Anwendungen realisiert werden, z.B.:

• In der Optik
• Photonik (Gratings, 2.5D-und 3D-Strukturen, Graustufen-Strukturen)
• Mikro-/Nanoelektronik
• Mikro-Elektro-Mechanische-Systeme (MEMS)
• Nano-Elektro-Mechanische-Systeme (NEMS)
• Mikro-Opto-Elektro-Mechanische-Systeme (MOEMS)
• Mastering/Masterherstellung für die Nano-Imprint-Lithografie (NIL)

Bearbeitbare Substrate sind:

• 6“ Flat & 8“ Notch Semi Std. Silizium Wafer
• 6“, 8“ Wafer mit Dicken, die nicht dem SEMI Std. entsprechen von 300 µm bis 950 µm Waferdicke
• Transparente Substrate, beispielsweise Glas-Wafer
• Sondersubstrate oder auch 4“ Substrate können über Adapterwafer und entsprechende Chucking-Tools bearbeitet werden

Je nach Kundenwunsch und -spezifikation kommen verschiedene Lacksysteme zum Einsatz um den gewünschten Anforderungen z.B. für Trockenätzen oder Lift-Off Anwendungen optimal gerecht zu werden. Die dafür nötigen Layoutanpassungen, Optimierungen in der Belichtung sowie beim Ätzen werden In-House durchgeführt um bestmöglich aufeinander abgestimmt zu sein.

Die Durchführung von Overlaybelichtungen mit der Ausrichtung an globalen Marken sowie Chipmarken ist dabei ein wesentlicher Bestandteil unserer Arbeiten. Dies kommt z.B. bei MEMS und NEMS mit hoher Overlay-Anforderung (Alignment von Ebene zu Ebene) zum Einsatz.