7.11.2019

Whitepaper zu Memristor-Technologien

© Fraunhofer ENAS

Aufsicht auf einen geschnittenen Wafer mit strukturierten Bottomelektroden für Crossbar-Strukturen unterschiedlicher Größe.

Angesichts der zunehmenden Herausforderung bei der Miniaturisierung von konventionellen CMOS-Schaltkreisen für Rechner in der von-Neumann-Architektur mit räumlich getrennter Datenverarbeitung und -speicherung, ist eine weitere Leistungssteigerung durch Miniaturisierung perspektivisch ökonomisch kaum mehr vertretbar.

Der Fachbereich Technische Informatik der Informationstechnischen Gesellschaft (ITG) im VDE und der Gesellschaft für Informatik (GI) hat ein White Paper zu Memristor-Technologien veröffentlicht: „Implications of Memristor Technologies for Future Computing Systems“, Eds.: D. Fey, W. Karl, T. Ungerer, Herausgeber: VDE ITG Informationstechnik, 27.06.2019. Memristor-Technologien sollen die Fertigung neuer elektronischer Bauelemente und Architekturen für die Rechner von morgen adressieren.

Das Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme ENAS hat gemeinsam mit dem Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf einen Memristor auf der Basis von BiFeO3 (BFO) entwickelt, welcher sowohl digitale und analoge Datenspeicherung als auch digitale und analoge Informationsverarbeitung ermöglicht. Derzeit entwickelt ein Team am Fraunhofer ENAS im Rahmen des ATTRACT-Projektes »Entwicklung einer Gesamttechnologie für die modulare Integration neuartiger elektronischer Bauelemente in mikroelektronische CMOS-Hybride - BFO4ICT« eine Technologie zur Herstellung von BFO-Memristoren auf Wafer-Niveau in Crossbar-Array-Strukturen. Ausgehend vom derzeitigen Stand des Wissens und der Technologieentwicklung unserer Arbeiten, haben wir im Kapitel „Memristive Technologies“ (H. Schmidt) des White Papers potentielle Anwendungen für Memristor-Bauelemente mit digitaler sowie analoger Datenspeicherung und ‑verarbeitung aufgezeigt.