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Low-k- und ultra low-k-Analytik

Das Fraunhofer ENAS bietet eine große Bandbreite an Methoden, um dichte und poröse low-k dielektrische Materialien zu analysieren. Dies beinhaltet unter anderem die Bestimmung von optischen, elektrischen, mechanischen, thermischen und strukturellen Materialeigenschaften.

 

 

Spektralellipsometer: Sentech SE 850

  • Spektralbereich: 190 nm - 2550 nm
  • Einfallswinkel: 40-90°
  • Substratgrößen: bis zu 300 mm
  • frei programmierbare Mapping Skripte
  • Bestimmung des Brechungsindex, der Schichtdicke und der Homogenität

 

Quecksilber-Sonde (CV Messung)

  • Anlage: Solid State Measurements SSM 495
  • Substratgrößen: bis zu 200 mm
  • Bestimmung von Leckströmen, Durchbruchspannungen und Dielektrizitätskonstanten von Isolatorschichten
  • frei programmierbare Mapping-Skripte

 

3ω Messung

  • Bestimmung der thermischen Leitfähigkeit (transiente "hot wire-Methode")
  • für Messungen wird eine einfache Heizstruktur aus Aluminium auf dem Dielektrikum verwendet
  • Präparation der Strukturen ist sehr einfach im Vergleich zu kontaktfreien Methoden

 

Nanoindentermessungen

  • Anlage: UMIS Nanoindentation System (CSIRO, Australien)
  • Verschiedene Eindringkörper stehen zur Verfügung: Berkovich, sphärisch, pyramidisch
  • Bestimmung der Härte, des Elastizitätsmodules und der Fließspannung

 

FTIR - Fourier-Transformation Infrarotspektroskopie

  • Anlage: BRUKER VERTEX 80v und BRUKER IFS 66
  • Analyse struktureller und chemischer Materialeigenschaften, speziell für low-k Materialien, Änderungen innerhalb des Si-O-Si Netzwerks, Schädigungs- und Ausheileffekte, Zersetzung von Porogenen etc.

 

Beispiel für die Bestimmung der Fließspannung
Zur 3omega Messung verwendete Heizstrukturen
Beispiel einer Abbildung der Schichtstärke mittels Spektralellipsometrie