Interconnect Technologies
Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme
Die Kernkompetenz „Interconnect Technologies“ gründet auf den Erfahrungen einer fortlaufenden Forschungs-und Entwicklungsarbeit seit den Anfängen des "Technikum Mikroelektronik" (1979), dem heutigen ZfM der TU Chemnitz. Mit Gründung des Fraunhofer ENAS und Etablierung der Abteilung Back-end of Line wurde Kompetenzen übertragen. Sie wird durch zwei Hauptelemente charakterisiert. Sie adressiert einerseits Material- und Prozessentwicklung als auch -Integration für Interconnect-Systeme und in NEMS. Andererseits beinhaltet sie die Modellierung und Simulation von Prozessen und Anlagen bzw. Anlageparametern, von Materialeigenschaften und -verhalten sowie von Interconnect-Systemen.
Für die Material- und Prozessentwicklung und Prozessintegration lassen sich folgende Forschungs- und Entwicklungsschwerpunkte heraus stellen:
- Low-k / ultra Low-k Materialien - Abscheidung, Strukturierung, Integration sowie Charakterisierung und k-Restore, alternativ Airgap-Konzept und -Technologie
- CVD und ALD vorwiegend für Metalle -Prozessentwicklung mit metallorganischen Precursoren, Evaluierung neuer Precursoren, Cu-CVD-Integrationsschema für Leitbahnsysteme und Through Silicon Vias (TSV)
- In-Situ-Plasmadiagnostik - Entwicklung und Optimierung plasmachemischer Ätzprozesse.
Basierend auf der soliden technologischen Ausstattung können vollständige Cu/low-k- bzw. Airgap-basierte Damascene-Architektur auf Waferdurchmessern bis 200 mm realisiert werden. Auch neue Arbeitsfelder werden erschlossen, wie:
- die Entwicklung von Stressorschíchten für die Steigerung der Ladungsträgerbeweglichkeit,
- die Integration von Kohlenstoffnanoröhrchen (CNT) auf Waferebene in Leitbahnsysteme als auch in NEMS
- Integration von Sensormaterialien, z.B. spintronischen Schichtsystemen für GMR-Sensorik.
Der Bereich der Modellierung und Simulation konzentriert sich einerseits auf die Prozesssimulation, z.B. PVD, CVD, oder CMP und andererseits auf Modelle und Simulationen für Bauelemente und Nanostrukturen bzw. Materialeigenschaften auf der Nanometerskala. Viele technologische Entwicklungsarbeiten werden auf diese Weise begleitet und unterstützt. Die enge Kopplung beider Bereiche, Modellierung und Simulation mit der Material- und Prozessentwicklung / -integration ist ein grundlegendes Alleinstellungsmerkmal im institutionellen Forschungsumfeld.





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