Back-End of Line

Leitbahnsysteme für die Mikro- und Nanoelektronik

Materialforschung, Verfahrensentwicklung und Integration für die Mikro- und Nanoelektronik

 

Die steigende Leistungsfähigkeit elektronischer Bauelemente, die ständige Miniaturisierung bis in den Nanometerbereich und gleichzeitig neue Bauelemente-Konzepte erfordern hoch entwickelte Materialien und aufwändige Fertigungsmethoden. Die Abteilung Back-End of Line arbeitet gemeinsam mit dem Zentrum für Mikrotechnologien der Technischen Universität Chemnitz an Lösungen für Materialien und Prozesse sowie der Integration dieser in die Mikro- und Nanoelektronik. Unter anderem konzentriert sich unsere Arbeit auf Materialien, Prozesse und Technologien, wie beispielsweise die Atomlagenabscheidung (ALD), Air-Gap-Technologien für die Kupfer-Damascene-Metallisierung, Reinigungsverfahren in sub-100nm-Strukturen, Ätzprozessentwicklung und in situ-Diagnostik sowie die Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) von Kohlenstoffnanoröhren (CNT) für Anwendungen in Interconnectsystemen der integrierten Schaltkreise.

 

Air-Gap-Strukturen

  • Ultimative Lösungen zur Erzielung minimaler parasitärer Kapazitäten
  • Air-Gaps als ultra-low-k-Dielektrika
  • Nutzung von Opferschichten zur Airgaperzeugung
  • Ausgeglichenes elektrisches, thermisches und mechanisches Verhalten
  • Einzelprozess- und Technologieoptimierung

 

Kupfer Damascene-Metallisierung

  • ALD von Cu-Keimschichten für die elektrochemische Kupferabscheidung
  • Ultra dünne Diffusionsbarrieren
  • Cu-MOCVD für IC Metallisierung und 3D-Integration
  • Integration von ultra-low-k-Materialien
  • Reinigungsverfahren bei Anwendung von low-k- und ultra-low-k-Materialien in der 45nm Technologie und darunter
  • Ätzprozessoptimierung mittels insitu-Diagnostik, z.B. zur Minimierung der Seitenwandschädigung bei Applikation poröser ultra-low-k-Dielektrika
  • Chemisch-mechanisches Polieren (CMP)
  • Prozess- und Equipmentsimulation von PVD-, CVD- und CMP-Prozessen

 

Kohlenstoff-Nanoröhren als Leitbahn- und Kontaktmaterial

  • CNTs als Via- und Kontaktmaterial in ICs
  • Wachstum von mehrwandigen Kohlenstoff-Nanoröhren auf mono- und bimetallischen Katalysatoren
  • Charakterisierung mittels REM, TEM, Raman-Spektroskopie und XPS

 

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